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　　LCOS是在傳統(tǒng)的LCD基礎(chǔ)上發(fā)展起來的，它繼承了LCD技術(shù)的優(yōu)點，同時也克服了LCD的不足之處，所以LCOS擁有諸多LCD所不具備的優(yōu)點。

　　1. 首先LCD是在石英玻璃基板上生長多晶硅，利用半導(dǎo)體技術(shù)在多晶硅(poly－silicon)上制作象素CMOS有源驅(qū)動電路和存儲電容，這樣無疑會占用象素一定的面積，導(dǎo)致開口率的。像素的開口率達到96%。(LCD一般是85%)。因此圖像畫面沒有像素感，畫面邊緣更自然。

　　2. 由于多晶硅(P-LCD)中電子遷移速率低，渡越時間比較長，所以顯示畫面會有延遲，直接影響到畫面的刷新速率。而在LCOS技術(shù)中，采用反射式結(jié)構(gòu)，渡越時間大大減少，顯示畫面延時和DLP技術(shù)相同，為12ms，而P-LCD的延時，在20ms左右。

　　3. 其次，LCOS是反射式顯示技術(shù)，可以避免LCD由于光源長時間的照射溫升而導(dǎo)致LCD面板局部灼傷的問題。

　　4. LCOS的驅(qū)動電路做在反射電極下面，芯片的像素分辨率可以做得很高，通常LCOS的基本分辨率為1400×1050，而LCD和DLP的常規(guī)分辨率為1024×768。

　　5. LCOS的芯片為0.7"，而P-LCD的顯示芯片為1.3"，LCD面板尺寸過大，制作工藝難以保證顏色大面積的均勻性。

　　6. 體積小：LCOS可將驅(qū)動IC等外圍線路完全整合至CMOS基板上，減少外圍IC以及引線的數(shù)目，降低了封裝成本，并使體積縮小，一般XGA(1024×768)TFT－LCD的外圍引線達到2500多條。

　　7. LCOS以單晶硅基板上的CMOS點陣取代多晶硅TFT點陣。相比之下，前者生產(chǎn)技術(shù)更為成熟。LCOS的整個工藝，可以分為前道的半導(dǎo)體CMOS制造和后道的夜景面板貼合封裝過程。前道(0.35mm半導(dǎo)體工藝)CMOS電路設(shè)計、仿真、制造及測試技術(shù)都已經(jīng)十分成熟，目前合格率可以達到90%以上；后道的液晶屏貼合封裝過程成品率為30%，但是隨著LCOS產(chǎn)品的發(fā)展和應(yīng)用的增加，LCOS的價格下降空間還是很大的。

　　從與LCOS相關(guān)聯(lián)的顯示技術(shù)進行比較，它是與高溫多晶硅HTPS－LCD顯示技術(shù)，DMD(Digital Mirror Device)數(shù)字光處理顯示技術(shù)相對應(yīng)的。簡單來說，LCOS是直接與陰極射線顯像管(CRT)顯示技術(shù)、高溫多晶硅液晶(Ploy-Si LCD)穿透式顯示技術(shù)、DMD(Digital Micromirror Device)數(shù)字光學處理(DLP; Digital Light Projector)反射式顯示技術(shù)具有相等同的地位。這三項技術(shù)目前發(fā)展已經(jīng)相當成熟，但LCOS將成為大屏幕高分辨率低成本投影顯示技術(shù)的新主流。


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