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　　LCOS投影技術(shù)芯片的工藝技術(shù)具有大量集成已有成熟技術(shù)的特色。

　　例如，整個(gè)LCOS芯片的硅背板都是在常規(guī)IC芯片生產(chǎn)在線完成的。采用CMOS（Complementary Metal Oxide Semiconductor）技術(shù)的硅背板具有生產(chǎn)制程成熟、成本低廉和產(chǎn)品功耗較低的優(yōu)點(diǎn)。CMOS是指互補(bǔ)金屬氧化物(PMOS管和NMOS管)共同構(gòu)成的互補(bǔ)型MOS集成電路制造工藝。由于CMOS中一對MOS組成的門電路在瞬間看，要么PMOS導(dǎo)通，要么NMOS導(dǎo)通，要么都截至，比線性的三極管(BJT)效率要高得多，因此被廣泛采用。

　　眾所周知，IC技術(shù)的強(qiáng)大生命力在于它可以低成本、大批量地生產(chǎn)出具有高可靠性和高精度的微電子結(jié)構(gòu)模塊。從生產(chǎn)工藝角度來說，在IC工藝中建立CMP（化學(xué)機(jī)械拋光）技術(shù)是為了填平復(fù)雜的電路走線提高各金屬布線層的平面光刻精度，防止電荷光端積累效應(yīng)。現(xiàn)在，這些優(yōu)勢都成為制作LCoS芯片像素反射鏡面的必然方法。其他，如遮光層工藝也源于IC技術(shù)。目前LCOS前段晶圓制程以0.35u制程即可（LCOS芯片也不需要作得更小了），目前良率已可達(dá)90%。這些因素成為了LCOS芯片控制成本的關(guān)鍵之一。

　　除此之外，液晶分子、液晶涂布和ITO透明電極玻璃基板也是被廣泛應(yīng)用的成熟技術(shù)。特殊零件的凈化操作、、1~2μm盒厚的控制與封接技術(shù)、理想的液晶分子定向工藝技術(shù)、薄盒的液晶灌注技術(shù)、顯示模塊制造工藝技術(shù)等等都是已經(jīng)比較成熟的工藝。目前，大尺寸液晶產(chǎn)品已經(jīng)能夠突破100英寸的大關(guān)。而在小尺寸方面，成熟的噴墨或者印刷等技術(shù)也能夠輕易的實(shí)現(xiàn)高像素密度的涂布。

　　在LCOS芯片的整個(gè)制程中關(guān)鍵的難點(diǎn)是鋁反射電極層與液晶分子間的結(jié)合問題。液晶分子的著床需要優(yōu)秀的光學(xué)反射平面。這對鋁金屬電極層的質(zhì)量提出了苛刻的要求。鋁金屬電極層主要采用表面化學(xué)拋光和表面蒸鍍反光層的工藝。在早期的產(chǎn)品中受制于工藝技藝的限制成品率只能達(dá)到30%左右，目前這一成品率水平正在被穩(wěn)步提升。

　　綜合來看，LCOS芯片的工藝特點(diǎn)具有傳統(tǒng)工藝、成熟工藝為主導(dǎo)，新問題相對苛刻的特點(diǎn)。這也決定了當(dāng)下LCOS投影產(chǎn)品從在的理論成本最低，而實(shí)際售價(jià)有比較高的現(xiàn)象。在早期，DLP投影機(jī)技術(shù)也面臨著類似的問題。采用微電子機(jī)械工程DMD芯片的成品率曾經(jīng)一直是TI德州儀器最大的“心病”。不過這一問題已經(jīng)被德州儀器很好的解決了。相信隨著工藝水平的進(jìn)步，LCOS一旦能形成穩(wěn)定的高成品率，到那時(shí)必然帶來一場普及型的LCOS投影革命。


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