近日，有媒體消息稱，日本芯片制造商Rapidus已正式宣布開啟2nm晶圓的測(cè)試生產(chǎn)工作，并預(yù)計(jì)在2027年正式步入量產(chǎn)階段，這一動(dòng)態(tài)引發(fā)了全球半導(dǎo)體行業(yè)的廣泛關(guān)注。

據(jù)Tomshardware報(bào)道，Rapidus位于日本的IIM - 1廠區(qū)已積極開展采用2nm全環(huán)繞柵極架構(gòu)（GAA）晶體管技術(shù)的測(cè)試晶圓原型制作。這一舉措標(biāo)志著Rapidus在先進(jìn)制程芯片研發(fā)上邁出了關(guān)鍵一步。

公司方面確認(rèn)，早期測(cè)試晶圓已成功達(dá)到預(yù)期的電氣特性。這一成果意義重大，不僅表明其晶圓廠的各類工具運(yùn)行正常，更意味著制程技術(shù)的開發(fā)工作進(jìn)展順利，為后續(xù)的量產(chǎn)奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。此前日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)受沖擊發(fā)展滯后，如今Rapidus進(jìn)展順利，若能持續(xù)突破，或助力日本重返先進(jìn)制程賽道，改寫全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局。

在半導(dǎo)體生產(chǎn)流程中，原型制作是一個(gè)至關(guān)重要的里程碑。其核心目的在于驗(yàn)證運(yùn)用新技術(shù)制造的早期測(cè)試電路是否具備可靠性、高效性，以及能否達(dá)到既定的性能目標(biāo)。只有通過這一環(huán)節(jié)的嚴(yán)格檢驗(yàn)，芯片產(chǎn)品才能在后續(xù)大規(guī)模生產(chǎn)中確保質(zhì)量穩(wěn)定。

目前，Rapidus正對(duì)其測(cè)試電路的電氣特性展開全面測(cè)量，涉及參數(shù)眾多，包括臨界電壓、驅(qū)動(dòng)電流、漏電流、次臨界斜率、開關(guān)速度、功耗以及電容等。通過對(duì)這些參數(shù)的精準(zhǔn)分析，公司能夠深入了解芯片性能，及時(shí)發(fā)現(xiàn)并解決潛在問題，為后續(xù)優(yōu)化提供數(shù)據(jù)支持。

值得一提的是，Rapidus的IIM - 1廠區(qū)自2023年9月動(dòng)工以來，建設(shè)進(jìn)展十分順利。2024年，無塵室順利完工，為芯片制造提供了高潔凈度的生產(chǎn)環(huán)境。截至2025年6月，該廠區(qū)已成功連接超過200套設(shè)備，其中不乏先進(jìn)的DUV和EUV光刻工具。這些高端設(shè)備的引入，為2nm晶圓的生產(chǎn)提供了強(qiáng)有力的硬件保障。

回顧日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程，此前曾面臨諸多困境。有觀點(diǎn)認(rèn)為，在中國(guó)臺(tái)灣地區(qū)和韓國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)多年的競(jìng)爭(zhēng)沖擊下，日本本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的老舊產(chǎn)線基本退出市場(chǎng)，僅有少數(shù)設(shè)備仍在勉強(qiáng)運(yùn)行。在臺(tái)積電大規(guī)模投資日本工廠之前，日本在芯片制程領(lǐng)域發(fā)展滯后，甚至連量產(chǎn)40nm制程芯片都面臨重重困難，在制程技術(shù)上甚至落后于中國(guó)大陸。

然而，Rapidus此次在2nm晶圓測(cè)試生產(chǎn)上的積極進(jìn)展，無疑為日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的復(fù)興帶來了新的希望。隨著技術(shù)的不斷突破和產(chǎn)能的逐步釋放，日本有望在先進(jìn)制程芯片領(lǐng)域重新占據(jù)一席之地，全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)格局也可能因此迎來新的變化。